電力MOSFET的基本特性

電力MOSFET的基本特性
（1）靜態特性
轉移特性
1.指漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系，反映了輸入電壓和輸出電流的關系 。
2.ID較大時，ID與UGS的關系近似線性，曲線的斜率被定義為MOSFET的跨導Gfs，即

3.是電壓控制型器件，其輸入阻抗極高，輸入電流非常小。 （2）輸出特性
1.是MOSFET的漏極伏安特性。
2.截止區（對應于GTR的截止區）、飽和區（對應于GTR的放大區）、非飽和區（對應于GTR的飽和區）三個區域，飽和是指漏源電壓增加時漏極電流不再增加，非飽和是指漏源電壓增加時漏極電流相應增加。  
3.工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。
4.本身結構所致，漏極和源極之間形成了一個與MOSFET反向并聯的寄生二極管。
5.通態電阻具有正溫度系數，對器件并聯時的均流有利。 （3）動態特性
1.開通過程
   開通延遲時間td(on)
   電流上升時間tr
   電壓下降時間tfv
   開通時間ton= td(on)+tr+ tfv
2.關斷過程
   關斷延遲時間td(off)
   電壓上升時間trv
   電流下降時間tfi
   關斷時間toff = td(off) +trv+tfi
3.MOSFET的開關速度和其輸入
電容的充放電有很大關系，可以降
低柵極驅動電路的內阻Rs，從而減
小柵極回路的充放電時間常數，加
快開關速度。 電力MOSFET的主要參數
1.跨導Gfs、開啟電壓UT以及開關過程中的各時間參數。
2.漏極電壓UDS
標稱電力MOSFET電壓定額的參數。
3.漏極直流電流ID和漏極脈沖電流幅值IDM
標稱電力MOSFET電流定額的參數。
4.柵源電壓UGS
柵源之間的絕緣層很薄，|UGS|>20V將導致絕緣層擊穿。
5.極間電容
 CGS、CGD和CDS。
6.漏源間的耐壓、漏極最大允許電流和最大耗散功率決定了電力MOSFET的安全工作區。