電力場效應晶體管

分為結型和絕緣柵型，但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱電力MOSFET（Power MOSFET）。
電力MOSFET是用柵極電壓來控制漏極電流的，它的特點有：
驅動電路簡單，需要的驅動功率小。
開關速度快，工作頻率高。
熱穩定性優于GTR。
電流容量小，耐壓低，多用于功率不超過10kW的電力電子裝置。
（1）電力MOSFET的結構和工作原理
電力MOSFET的種類
1.按導電溝道可分為P溝道和N溝道。
2.當柵極電壓為零時漏源極之間就存在導電溝道的稱為耗盡型。
3.對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才存在導電溝道的稱為增強型。
4.在電力MOSFET中，主要是N溝道增強型。
（2）電力MOSFET的結構
1.是單極型晶體管。
2.結構上與小功率MOS管有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件，而目前電力MOSFET大都采用了垂直導電結構，所以又稱為VMOSFET（VerticalMOSFET），這大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
3.按垂直導電結構的差異，分為利用V型槽實現垂直導電的VVMOSFET（Vertical V-groove MOSFET）和具有垂直導電雙擴散MOS結構的DMOSFET（Vertical Double-diffused MOSFET）。
4.電力MOSFET也是多元集成結構。 （3）電力MOSFET的工作原理
1.截止：當漏源極間接正電壓，柵極和源極間電壓為零時，P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無電流流過。
2.導通
   在柵極和源極之間加一正電壓UGS，正電壓會將其下面P區中的空穴推開，而將P區中的少子——電子吸引到柵極下面的P區表面。
   當UGS大于某一電壓值UT時，使P型半導體反型成N型半導體，該反型層形成N溝道而使PN結J1消失，漏極和源極導電。
    UT稱為開啟電壓（或閾值電壓），UGS超過UT越多，導電能力越強，漏極電流ID越大。