絕緣柵雙極晶體管--IGBT的基本特性

IGBT的基本特性
（1）靜態(tài)特性
1.轉移特性
  描述的是集電極電流IC與柵射電壓UGE之間的關系。
  開啟電壓UGE(th)是IGBT能實現(xiàn)電導調制而導通的最低柵射電壓，隨溫度升高而略有下降。    2.輸出特性（伏安特性）
  描述的是以柵射電壓為參考變量時，集電極電流IC與集射極間電壓UCE之間的關系。
  分為三個區(qū)域：正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)。
  當UCE<0時，IGBT為反向阻斷工作狀態(tài)。
   在電力電子電路中，IGBT工作在開關狀態(tài)，因而是在正向阻斷區(qū)和飽和區(qū)之間來回轉換。 （2）動態(tài)特性
1.開通過程
  開通延遲時間td(on)
  電流上升時間tr
  電壓下降時間tfv
  開通時間ton= td(on)+tr+ tfv
   tfv分為tfv1和tfv2兩段。 
2.關斷過程
  關斷延遲時間td(off)
  電壓上升時間trv
  電流下降時間tfi
   關斷時間toff = td(off) +trv+tfi
   tfi分為tfi1和tfi2兩段
3.引入了少子儲存現(xiàn)象，因而IGBT的開關速度要低于電力MOSFET。