電力晶體管--GTR的結構和工作原理

電力晶體管（Giant Transistor——GTR）按英文直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、大電流的雙極結型晶體管（Bipolar JunctionTransistor——BJT）
GTR的結構和工作原理與普通的雙極結型晶體管基本原理是一樣的。
最主要的特性是耐壓高、電流大、開關特性好。  GTR的結構
1.采用至少由兩個晶體管按達林頓接法組成的單元結構，并采用集成電路工藝將許多這種單元并聯而成。
2.GTR是由三層半導體（分別引出集電極、基極和發射極）形成的兩個PN結（集電結和發射結）構成，多采用NPN結構。
3.在應用中，GTR一般采用共發射極接法。集電極電流ic與基極電流ib之比為

稱為GTR的電流放大系數，它反映了基極電流對集電極電流的控制能力。當考慮到集電極和發射極間的漏電流Iceo時，ic和ib的關系為 

4.單管GTR的值比處理信息用的小功率晶體管小得多，通常為10左右，采用達林頓接法可以有效地增大電流增益。